Атомная диффузия в полупроводниках
Цена: 450 ₽
В корзину
Код товара: 1424260
Год издания: 1975
Место издания: Москва
Издательство:
Мир
Серия:
Несерийное издание
Язык:
русский
Возрастные ограничения: 16+
Тип обложки: твердый переплет
Количество страниц: 684
Вес: 735г
Формат: 60х90/16
Рассмотрены механизмы перемещения атомов, вопросы диффузионно-стимулированного дефектообразования, влияния взаимодействия примесей с дефектами, свободными носителями заряда, электрическими и упругими полями на диффузию. Обсуждены особенности миграции примесей в структурах металл—полупроводник, гетеро- и гомоструктурах при реакционной диффузии и электродиффузии. Обобщены результаты экспериментальных исследований процессов диффузии и электропереноса примесей в структурах на основе элементарных полупроводников (Se, Те, S, Ge, Si), халькогенидных соединений A2B6, A3B6, A2B6, соединений A3B5 и их твердых растворов. Для специалистов по физике твердого тела и полупроводниковой электронике.
