Легирование полупроводников ионным вредрением : сборник статей
Цена: 160 ₽
В корзину
Код товара: 1366072
Год издания: 1971
Место издания: Москва
Издательство:
Мир
Серия:
Несерийное издание
Язык:
русский
Возрастные ограничения: 16+
Тип обложки: твердый переплет
Количество страниц: 531
Вес: 570г
Формат: 84х108/32
Одной из основных проблем технологии изготовления полупроводниковых приборов является создание в объеме полупроводникового кристалла p - n-переходов. В последние годы появился новый метод создания p-n-переходов с помощью облучения полупроводника пучком соответствующих ионов. Настоящая книга представляет собой сборник специально подобранных статей и докладов, освещающих эту новую перспективную область физики и техники полупроводников. В книге рассмотрены вопросы распределения легирующих примесей по глубине полупроводника, радиационные нарушения и электрические свойства легированных полупроводников. Книга рассчитана на физиков и инженеров, работающих в области исследований, применений и разработки полупроводниковых приборов.
